[반도체레이다]김원기 그룹장 " > 자유게시판

• 목록
• 답변
• 글쓰기
• 게시판 리스트 옵션
  • 수정
  • 삭제

콜백문자 [반도체레이다]김원기 그룹장 "기판 내 임베디드 형태로 AI·데이터센터 공급 시작"글로벌 빅테크와 1조5000억원 규모 공급 계약… AI 부품 라인업 체인 완성D램 반도체 ISC 공정 적용·자체 단품 테스터 개발…고신뢰성 품질 확보김원기 삼성전기 실리콘 캐패시터 개발 총괄 그룹장. [사진=배태용 기자][디지털데일리 배태용기자] "경쟁사들은 캐패시터 단품만 하거나 기판만 하지만 삼성전기는 패키지 기판과 MLCC 그리고 실리콘캡까지 다 합쳐서 하나로 묶어 제안할 수 있습니다. 이렇게 번들로 일괄 공급할 수 있는 인프라를 갖춘 회사는 사실상 저희가 유일합니다."AI 데이터센터와 고성능 컴퓨팅(HPC)의 급격한 확장에 발맞춰 반도체 패키징의 공간 한계를 극복하기 위한 차세대 수동부품 경쟁이 뜨겁게 달아오르고 있다. 삼성전기가 반도체 미세 공정을 도입해 두께를 획기적으로 줄인 차세대 '실리콘 캐패시터(Silicon Capacitor)' 물량을 전면에 내세워 AI 서버 및 광통신 시장 장악에 나섰다.김원기 삼성전기 실리콘 캐패시터 개발 총괄 그룹장은 11일 서울 중구 삼성전자 기자실에서 개최된 기술 설명회에서 자사 실리콘 캐패시터의 양산 진척 상황과 시장 확장 전략을 공개했다.캐패시터는 전자회로 내부에서 전력을 물탱크처럼 저장했다가 필요할 때 안정적으로 공급해 전자기기를 보호하는 전기 쿠션 역할을 수행하는 수동부품이다. 그동안 수백 개 층을 쌓아 올리는 적층세라믹콘덴서(MLCC)가 시장을 주도해 왔으나 반도체 공정이 3나노미터(㎚) 이하로 고도화되면서 공간과 두께의 한계에 봉착했다는 시각이 대두돼 왔다.삼성전기 실리콘캐패시터 실물. [사진=배태용 기자]◆ 머리카락 10분의 1 두께… 기판 내부에 심는 '임베디드' 대세 주도삼성전기가 주력하는 실리콘 캐패시터는 기존 세라믹 소재 대신 실리콘 웨이퍼를 기반으로 제작되는 단층 구조 제품이다. 반도체 미세 에칭(식각) 공정을 활용해 실리콘 표면에 미세한 구멍을 촘촘하게 뚫어 표면적을 극대화하는 다공체 구조를 구현해 냈다. 숯이 미세한 구멍을 통해 먼지를 흡착하듯 좁은 면적에 더 많은 전기를 저장할 수 있는 원리다.삼성전기는 D램(DRAM) 반도체 제조에 활용되던 ISC([반도체레이다]김원기 그룹장 "기판 내 임베디드 형태로 AI·데이터센터 공급 시작"글로벌 빅테크와 1조5000억원 규모 공급 계약… AI 부품 라인업 체인 완성D램 반도체 ISC 공정 적용·자체 단품 테스터 개발…고신뢰성 품질 확보김원기 삼성전기 실리콘 캐패시터 개발 총괄 그룹장. [사진=배태용 기자][디지털데일리 배태용기자] "경쟁사들은 캐패시터 단품만 하거나 기판만 하지만 삼성전기는 패키지 기판과 MLCC 그리고 실리콘캡까지 다 합쳐서 하나로 묶어 제안할 수 있습니다. 이렇게 번들로 일괄 공급할 수 있는 인프라를 갖춘 회사는 사실상 저희가 유일합니다."AI 데이터센터와 고성능 컴퓨팅(HPC)의 급격한 확장에 발맞춰 반도체 패키징의 공간 한계를 극복하기 위한 차세대 수동부품 경쟁이 뜨겁게 달아오르고 있다. 삼성전기가 반도체 미세 공정을 도입해 두께를 획기적으로 줄인 차세대 '실리콘 캐패시터(Silicon Capacitor)' 물량을 전면에 내세워 AI 서버 및 광통신 시장 장악에 나섰다.김원기 삼성전기 실리콘 캐패시터 개발 총괄 그룹장은 11일 서울 중구 삼성전자 기자실에서 개최된 기술 설명회에서 자사 실리콘 캐패시터의 양산 진척 상황과 시장 확장 전략을 공개했다.캐패시터는 전자회로 내부에서 전력을 물탱크처럼 저장했다가 필요할 때 안정적으로 공급해 전자기기를 보호하는 전기 쿠션 역할을 수행하는 수동부품이다. 그동안 수백 개 층을 쌓아 올리는 적층세라믹콘덴서(MLCC)가 시장을 주도해 왔으나 반도체 공정이 3나노미터(㎚) 이하로 고도화되면서 공간과 두께의 한계에 봉착했다는 시각이 대두돼 왔다.삼성전기 실리콘캐패시터 실물. [사진=배태용 기자]◆ 머리카락 10분의 1 두께… 기판 내부에 심는 '임베디드' 대세 주도삼성전기가 주력하는 실리콘 캐패시터는 기존 세라믹 소재 대신 실리콘 웨이퍼를 기반으로 제작되는 단층 구조 제품이다. 반도체 미세 에칭(식각) 공정을 활용해 실리콘 표면에 미세한 구멍을 촘촘하게 뚫어 표면적을 극대화하는 다공체 구조를 구현해 냈다. 숯이 미세한 구멍을 통해 먼지를 흡착하듯 좁은 면적에 더 많은 전기를 저장할 수 있는 원리다.삼성전기는 D램(DRAM) 반도체 제조에 활용되던 ISC(Integrated Stack Capacitor) 공정을 실리콘 캐패시터에 전격 적용했다. 실리콘 웨이퍼를 깊게 파내 표면적을 극대화하고 그 안에 유전 콜백문자